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确实在进入到5nm制程以后，维输电摩尔定律的实现已经有所放缓，维输电那么接下来硅基集成电路又该如何发展，以实现更高计算性能芯片生产制造，从而延续摩尔定律？终极半导体金刚石杀出重围一切制造业的基础便是材料，而硅材料的内禀属性制约着晶体管技术的发展，如今在后摩尔时代想要突围，则需要寻找击穿电压更高、散热性能更好的新型半导体材料来取代目前已经逐步发展到极限的硅基集成电路技术。金刚石基芯片存在的问题对于半导体器件的量产而言，线路要求半导体材料达到高载流子浓度与迁移率、线路缺陷密度低、纯度高、面积大，但对于金刚石材料来讲，金刚石的掺杂以及高质量大尺寸单晶的获得仍是世界性科学问题。
这些晶体学参数（如晶面取向，基于监测技术机械性能和纯度）相同的单晶金刚石籽晶片是由离子注入剥离法[10]对同一籽晶克隆的，是完美拼接的关键。德国MatthiasSchreck团队[11]在Ir/YSZ/Si(001)（YSZ为氧化钇稳定的氧化锆）结构上通过异质外延法生长出直径约为90mm，维输电重量为155克拉的金刚石单晶。相比之下，线路著名芯片代工厂台积电最先进的芯片采用其5nm工艺制造，每平方毫米约有1.73亿个晶体管，而三星的5nm芯片则约为1.27亿/mm2。
但以目前的技术条件来讲，基于监测技术两种方法都难以实现当下单晶硅所能达到的高质量大尺寸指标。NvidiaCEO黄仁勋认为半导体物理学的限制意味着如今CPU性能每年只能提升20%左右，维输电摩尔定律已走向终结。
半导体掺杂问题金刚石的掺杂是形成半导体电子器件的基础，线路但金刚石半导体实现商业化的最大问题是金刚石的高效掺杂尚未解决。
另外，基于监测技术HPHT金刚石的尺寸固有地受到生长装置尺寸的限制，因此不适合晶片生产与大规模集成。电渗析法则是利用膜阻碍离子运动，维输电以实现金属离子的单侧富集（图5d）。
锂离子电池的循环利用不仅可以通过减少生产的资源限制来促进锂离子电池的发展，线路而且为解决对化石燃料的严重依赖提供了一条替代途径。文章着重总结了金属浸出方法，基于监测技术包括酸浸出、碱浸出、还原浸出、强化浸出等，还总结了各浸出方法的机理，并分析了其优缺点。
维输电然后用D2EHPA分离锰和钴。湿法冶金因其浸出效率高、线路金属分离容易而得到最广泛的应用。
